Vine DDR6 de la Micron, dar este construit pentru serverele AI, nu pentru computerul dvs
Perspectiv: Micron și-a conturat foaia de parcurs de memorie și stocare pentru următorii câțiva ani, dezvăluind actualizări semnificative pentru produsele sale de generație următoare. Planurile se referă la DDR6, LPDDR6, HBM și NAND, deoarece creșterea cheltuielilor cu infrastructura AI continuă să mărească costurile hardware.
Micron și-a detaliat nodul 1δ (1-Delta) ca urmare a 1γ (1-Gamma). Noul nod, care dispune de control al procesului la nivel de angstrom și structură HKMG CMOS, va oferi o densitate de biți cu aproximativ 25% mai mare decât predecesorul său atunci când produce produse DRAM avansate.
Micron a adăugat că 1-Delta va suporta standardele de memorie de ultimă generație, cum ar fi DDR6 și LPDDR6, primul oferind o lățime de bandă de peste două ori mai mare decât DDR5. Cu toate acestea, compania poziționează DDR6 ca memorie de server de înaltă fiabilitate pentru centrele de date AI, mai degrabă decât un succesor direct al DDR5 pentru computerele client.
Micron se așteaptă ca 1-Delta să intre în producție de volum în S2 2027, dar nu există încă o dată oficială de lansare pentru DDR6.
Micron a demonstrat mai devreme un RDIMM DDR5 de 512 GB care rulează la 9.200 MT/s în septembrie 2026. Compania spune acum că tehnologia sa de următoarea generație va furniza RDIMM-uri de 1TB pentru sarcini de lucru AI de înaltă densitate și susține că va fi RDIMM cu cea mai mare capacitate din industrie când va intra în producție.
În ceea ce privește LPDDR6, Micron susține că va oferi o eficiență energetică cu 35% mai bună decât LPDDR5, cu câștiguri și mai mari la anumite densități. Scott DeBoer, președintele companiei și directorul de tehnologie și produse, a declarat că Micron lucrează cu o serie de parteneri, inclusiv Meta, pentru a implementa memoria LPDDR6 în centrele de date AI.
Micron a dezvăluit, de asemenea, că produsele sale viitoare de memorie vor folosi DRAM de 6F² (6-Feature-Square) mai degrabă decât 4F², invocând costuri, complexitate și limite de pasă a condensatorului care reduc semnificativ scalabilitatea acestuia din urmă.
Compania a adăugat că produsele DRAM de următoarea generație vor folosi wafer bonding și High-NA EUV înainte de a trece posibil la materiale mai noi.
Pe lângă 6F², Micron dezvoltă 3D DRAM ca alternativă pe termen lung, introducând în același timp „vHBM”, un design stivuit vertical care plasează memoria direct deasupra matriței de calcul. Micron susține că noul design va îmbunătăți eficiența prin creșterea lățimii de bandă pe watt a cipurilor HBM de următoarea generație.
În ceea ce privește stocarea, Micron a prezentat planurile de producție pentru blițul său G11 NAND cu peste 400 de straturi. În comparație cu G9, noul produs vizează o densitate de biți de două ori mai mare, de 1,5 ori viteza I/O și o energie cu peste 25% mai mică per transfer de date. De asemenea, se pare că va intra în producție în S2 2027, deși Micron nu a anunțat încă o dată oficială de lansare.
