More

    Samsung, prima companie din lume care va produce cipuri de memorie de 4 GB DRAM

    Samsung Electronics anunţă că a început producţia în masă a primelor cipuri de memorie de 4 GB DRAM din industrie, bazate pe noua interfata rapida HBM2.

    Acestea vor putea fi utilizate în calculul de înaltă performanţă (HPC), grafică avansată şi vor oferi performanta sporită pentru gaming şi reţelistică.

    Noua soluţie HBM de la Samsung va oferi performanţe DRAM fără precedent – cu până la 7 ori mai rapide decât limita actuală de performanţă DRAM, permițând reacție rapidă pentru activități high-end de calcul, inclusiv de calcul paralel şi redare grafică.

    „Prin producţia în masă a următoarei generaţii HBM2 DRAM putem contribui mai mult la adoptarea rapidă a sistemelor HPC de ultimă generaţie de către companiile globale IT”, spune Sewon Chun, vice-preşedinte senior, Memory Marketing, Samsung Electronics. „De asemenea, în folosirea tehnologiei noastre de memorie 3D, putem face față proactiv la nevoile multiple ale companiilor IT la nivel mondial, timp în care putem consolida baza pentru o creștere viitoare a pieței DRAM.”

    Noul cip de memorie introdus, de 4 GB HBM2 DRAM, care utilizează cea mai eficientă tehnologie Samsung, de 20 de nanometri, şi un design avansat HBM, satisface nevoia de înaltă performanţă, eficienţa energetică, fiabilitatea şi dimensiunile mici, făcându-l uşor de adaptat pentru următoarea generaţie a sistemelor HPC şi a cardurilor grafice.

    Samsung intenţionează să producă un pachet de 8 GB HBM2 DRAM pe parcursul acestui an. Cu 8 GB GBM2 DRAM în plăcile grafice, designerii vor putea să se bucure de spaţiu economisit mai mare de 95%, comparativ cu utilizarea GDDR5 DRAM, oferind soluţii mai optime pentru dispozitivele compacte care necesită capabilităţi grafice de calcul la nivel înalt. VIA

    URMĂREȘTE-NE

    16,065FaniÎmi place
    1,142CititoriConectați-vă
    12,897AbonațiAbonați-vă

    Cele mai noi știri

    Pe același subiect

    Leave a reply

    Please enter your comment!
    Please enter your name here